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Design/♡ Transistor9

듀얼 게이트 MOS FET (Dual Gate, DG MOS) 응용 회로 상기 이미지 출처https://en.wikipedia.org/wiki/Multigate_device Multigate device - WikipediaFrom Wikipedia, the free encyclopedia MOS field-effect transistor with more than one gate A dual-gate MOSFET and schematic symbol A multigate device, multi-gate MOSFET or multi-gate field-effect transistor (MuGFET) refers to a metal–oxide–semiconductoren.wikipedia.org 글쓴이(DS1ORJ) 를 포함하여 RF 회로의 자작을 시도해 본 사람은 알겠지만.. 2024. 5. 14.

MOS FET 의 사용법 (1) 여기서는 MOS FET 의 실제 사용에 대해 아마추어적 관점에서 기술한다. 작동원리, 구조, 수식의 도출 등 교과서적 내용은 인터넷에 많이 있으므로 여기서는 다루지 않는다. 또한 이 글을 읽는 시점에서 BJT(일반 접합 트랜지스터) 의 기본 작동을 이미 알고 있다고 가정한다. FET 중에서도 가장 많이 사용되고 있는 것은 절연게이트인 MOS FET 이다. 그 다음으로 많이 사용하는 것이 접합게이트인 J (junction ) FET 가 있다. 고전압 등의 특수분야를 제외하고 전력 반도체 부터 소신호 반도체까지 사용되는 FET 는 거의 대부분이 MOS FET 이다. (※ IGBT, GaAs, MESFET 등의 반도체 소자는 여기서 논외로 한다.) 상기 두 종류 FET 는 기본적으로 OFF 상태인 Enhanc.. 2022. 10. 11.

트랜지스터(BJT)의 바이어스(3) 다녀가는 분들은많은데, 블로그가 영 조용하네요..allaboutcircuits.com에 있는 트랜지스터 바이어스에 대한 문서중 마지막부분 입니다.이거 말고도 해당 사이트에 좋은 내용이 많아요, 꼭 한번씩들 보시고..자료를 수집하다가다수에게 유용하다 싶은 자료들을알아먹기 쉽게(한글화 혹은 요약)작업해서 올리고 있습니다.FET 의 바이어스도 있었으면 작업을 해둘텐데, 아쉽게도 해당 사이트에는 FET 에 대한 내용은 아직 비어있네요.다른데서라도 찾아서, 이 문서 다음 문서로 올려보도록 하겠습니다.(이건 시간 좀 걸릴 듯)만약에트랜지스터에 대해서 완전히 이해하고 싶은데 뭐 부터 해야 할지 모르겠다면아래 순서대로 알아가시는게 편할 겁니다.HFE (DC 전류 증폭)에 대한 이해, On/Off 작동 설계, 저주파 증.. 2009. 12. 5.

트랜지스터(BJT)의 바이어스(2) 이해를 돕기 위해.. 스위칭 동작을 제외한 "증폭기" 의 바이어스 에서는 거의 99% 이상이 아래서 설명하는 이미터 저항을 이용한 부궤환 입니다.외부 온도의 변화 혹은 TR 의 HFE 값 차이 등으로 베이스 전류가 증가하면(이것은 설계자가 원하는 것이 아닙니다) 당연히 이미터와 컬렉터를 통해 부하로 흐르는 전류도 증가하고 이미터 내의 저항에 전압강하가 발생합니다.(즉 바이어스 전류가 설계치를 벗어나게 됨.) 이 전압강하의 방향은 베이스에서 볼때는 역전압(즉, 부궤환) 방향이므로, 결과적으로 베이스의 전류가 줄어들고이미터 전류의 변동(바이어스 전류)을 억제 시킵니다.따라서 목적을 달성(환경변화와 부품편차에 따른작동전류-바이어스- 편차) 할 수 있습니다.한가지 문제는,이미터에 저항기를 설치하면증폭 효율이 떨.. 2009. 12. 3.

트랜지스터(BJT)의 바이어스(1) 들어가기 앞서. 실리콘 트랜지스터로 0.7V 미만의 작은 신호(교류신호)는 증폭을 할 수가 없습니다. 그 이유는, 트랜지스터의 베이스는 일정전압(0.7V)이상 되지 않으면 전류가 흐르지 않기 때문이지요. 전원을 연결하더라도 0.7V 이하의 신호로는 어떤 작동도 할 수 없다는 뜻 입니다.당연한 얘기지만 이러면 수십mV 이하의 소신호 증폭은 할 수가 없습니다. 따라서, 0.7V 이상의 전압 + 증폭할 신호전압을 베이스에 전달하는 방법이 필요한데.. 이 때 사용하는 테크닉이 바로 "bias" 이고, 일반적으로 "바이어스를 건다" 라고 표현 합니다.아주 간단한 것은 베이스에 단 1개의 저항으로 구성 가능 합니다. (고정 바이어스 라고도 합니다) 그러나, 이렇게 절대값으로 해버리면 전압,전류,온도, 거기다가 제조.. 2009. 12. 3.

트랜지스터 데이터 시트의 이해(3) 3. SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS(소신호 특성)소신호 특성은 트랜지스터의 AC(교류) 성능을 기술한다. 소신호에 대해 표준화된 산업적 정의는 없다.(대신호에 비해) 그러나 일반적으로 AC 신호는 DC 바이어스 전압에 비해 작게 정의된다. 다시 말해, 신호 크기는 트랜지스터의 선형 작동 영역의 충분히 안쪽에 있다.소신호 특성은 아래와 같은 것들을 포함한다 :1) gain bandwidth product (Ft) (차단주파수, 역주: 신호증폭률이 1이 되어버리는 지점의 주파수 값을 말함) 2) the AC current gain (hfe) (AC 전류 증폭률) 3) input and output impedances (입 출력 저항) (hie and hoe) 4) input and ou.. 2009. 11. 9.

트랜지스터 데이터 시트의 이해(2) 2. ON CHARACTERISTICS(동작 특성)이 규격들은 정방향으로 바이어스된 부품의 DC(직류적) 성능을 나타내고(VBE 는 0.7V 보다 크거나 같을 때), 컬렉터 전류가 흐르거나 "ON" 상태가 되도록 하는 값 들이다.표 2의 DC 특성은 절대적인 값들이 아니다, 그러나 생산자에 의해 어느정도 시험된 값이다. 이런 이유로 표의 데이터는 테스트 조건("Ic=1mA, Vce=10v" 같은 표시)과 함께 보여진다. HFE 는 트랜지스터의 DC 전류 이득 측정값이다(HFE 를 나타내는 방법을 보라) 그것은 트랜지스터를 선형 영역에 바이어스하기 위해 사용된다.(A급 증폭기에서), 대개 1mA와 10mA 의 두가지 다른 컬렉터 전류에서의 HFE 값이 데이터 시트에 제공된다. 대부분의 QRP 회로는 IC .. 2009. 11. 9.

트랜지스터 데이터 시트의 이해(1) 트랜지스터 데이터 시트와 규격에 대한 이해 -출처 : Paul Harden, NA5N The Handyman's Guide to - UNDESTANDING TRANSISTOR DATA SHEET & SPECIFICATIONS제 번역이 다소 정확하지 않을 수 있으며, 그로 인한 피드백은 받지 않습니다. 링크시 출처 명시, 및 내용의 임의 발췌를 불허 합니다. 비선형 소자인 TR 의 정확한 작동을 이해 하는 것은결코 쉽지 않은 일 입니다. 특히 RF 영역에서작동중인 TR을 완벽히 이해하는 것은 밥먹고 그짓만 해도 어려운 일 입니다.용어 혹은 내용의 이해가 어려우시면 좀 더 전문적인 서적또는 좀 더 쉬운 서적을 참고하세요. 이 자료는 초보자용 대상이아닙니다. 개요호비스트(취미로 즐기는 사람)와 QRPers(Q.. 2009. 11. 9.

FET 의 종류와 특성 FET 는 크게 접합게이트와 절연게이트로 나뉜다. - 배경설명 접합게이트는 눈에 익숙한 2SK30, 2SK19같은 종류가 이에 해당한다. 절연게이트는 역시 눈에 익숙한 IRF 시리즈(IRF540, IRF720 등등)나 2N7000 등이 있다. 접합게이트 FET(흔히 그냥 FET 혹은 JFET 라고 한다)는 노멀 On 이다. 즉, 드레인, 소스 간 저항이평상시에 On 되어 있는 상태이다. 게이트에 걸리는 역방향 전압에 의해 Off 상태로 변한다. 쉽게 생각해서 TR 과는 반대로 작동한다. 이러한 방식을 디프레션 이라고 하며.. J-FET 는 디프레션 타입만 존재한다. 절연(흔히 MOS-FET 라고 한다)게이트 FET 는앞서 말한 노멀 On 방식도 있고, 노멀 Off 방식도 있다(이 방식을 Enhanceme.. 2008. 7. 23.

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